Характеристики 1000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E1T0BW]
Общие параметры
Тип
SSD M.2 накопитель
Модель
Samsung 990 EVO
Код производителя
[MZ-V9E1T0BW]
Основные характеристики
Объем накопителя
1000 ГБ
Форм-фактор
2280
Физический интерфейс
PCIe 4.0 x4
Ключ M.2 разъема
M
NVMe
есть
Конфигурация накопителя
Количество бит на ячейку
3 бит MLC (TLC)
Структура памяти
3D NAND
DRAM буфер
нет
Показатели скорости
Максимальная скорость последовательного чтения
5000 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
4200 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
680000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
800000 IOPS
Надежность
Максимальный ресурс записи (TBW)
600 ТБ
DWPD
0.32
Дополнительная информация
Радиатор в комплекте
нет
Энергопотребление
4.9 Вт
Особенности, дополнительно
отводящая тепло этикетка
Габариты
Длина
Ширина
22 мм
Толщина
2.38 мм
Вес
9 г
Описание
M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E1T0BW] ориентирован на оснащение игровых и мощных универсальных компьютеров. Устройство с объемом 1000 ГБ соответствует самому распространенному форм-фактору – 2280. Накопитель совместим почти с любыми материнскими платами стационарных ПК и многими ноутбуками. Модель поддерживает режим Modern Standby для связи с Интернетом и получения уведомлений в энергоэффективном режиме. Этикетка с функцией теплоотвода и технология Dynamic Thermal Guard обеспечивают стабильность температурного режима и производительности устройства.
Максимальная скорость последовательного чтения M.2 NVMe накопителя Samsung 990 EVO [MZ-V9E1T0BW] составляет 5000 МБ/с. Соответствующий показатель для записи равен 4200 МБ/с. Характеристики устройства гарантируют высокое быстродействие файловых операций в любых играх, программах и операционных системах.
Максимальный ресурс записи накопителя – 600 ТБ. Показатель является преимуществом для SSD рассматриваемого объема. Модель рассчитана на частую переустановку программного обеспечения и регулярное резервное копирование файлов.