#5453836

2000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E2T0BW]

[PCIe 4.0 x4, чтение - 5000 Мбайт/сек, запись - 4200 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express, TBW - 1200 ТБ] подробнее

В наличии в 2 магазинах
Объем (ТБ)
Гарантия: 12 мес.

Аксессуары

  • Характеристики
  • Отзывы 107
  • Оценка надежности

Характеристики 2000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E2T0BW]

Общие параметры

Тип
SSD M.2 накопитель
Модель
Samsung 990 EVO
Код производителя
[MZ-V9E2T0BW]

Основные характеристики

Объем накопителя
2000 ГБ
Форм-фактор
2280
Физический интерфейс
PCIe 4.0 x4
Ключ M.2 разъема
M
NVMe
есть

Конфигурация накопителя

Количество бит на ячейку
3 бит MLC (TLC)
Структура памяти
3D NAND
DRAM буфер
нет

Показатели скорости

Максимальная скорость последовательного чтения
5000 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
4200 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
700000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
800000 IOPS

Надежность

Максимальный ресурс записи (TBW)
1200 ТБ
DWPD
0.32

Дополнительная информация

Радиатор в комплекте
нет
Энергопотребление
5.5 Вт
Особенности, дополнительно
отводящая тепло этикетка

Габариты

Длина
Ширина
22 мм
Толщина
2.38 мм
Вес
9 г

Описание

2000-гигабайтный M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E2T0BW] ориентирован на оснащение мощных игровых и универсальных компьютеров. Модель отличается низким энергопотреблением: при любых нагрузках показатель не превышает 5.5 Вт. Технология Modern Standby позволяет получать уведомления и оставаться на связи с Интернетом в энергоэффективном режиме. Программное обеспечение Samsung Magic используется для переноса данных, контроля состояния устройства и обновления прошивки. Модель защищена от перегрева рассеивающей тепло этикеткой.
Накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E2T0BW] соответствует самому распространенному форм-фактору – 2280. Устройство совместимо почти с любыми материнскими платами стационарных ПК и многими ноутбуками. Для обмена данными используется высокоскоростной интерфейс PCIe 4.0 x4. Максимальная скорость последовательного чтения накопителя составляет 5000 МБ/с. Быстродействие устройства при записи ограничено 4200 МБ/с. Показатели гарантируют высокую скорость выполнения файловых операций в любых играх, программах и операционных системах.