#1255826

512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE110S [TS512GMTE110S]

[PCIe 3.0 x4, чтение - 1800 Мбайт/сек, запись - 1500 Мбайт/сек, 3 бит TLC, NVM Express, TBW - 200 ТБ] подробнее

Нет в продаже

Память (ГБ)

Аксессуары

  • Характеристики
  • Отзывы 165
  • Инструкции и файлы

Характеристики 512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE110S [TS512GMTE110S]

Общие параметры

Тип
SSD M.2 накопитель
Модель
Transcend MTE110S
Код производителя
[TS512GMTE110S]

Основные характеристики

Объем накопителя
512 ГБ
Форм-фактор
2280
Физический интерфейс
PCIe 3.0 x4
Ключ M.2 разъема
M
NVMe
есть

Конфигурация накопителя

Контроллер
Silicon Motion SM2263T
Количество бит на ячейку
3 бит TLC
Структура памяти
3D NAND
DRAM буфер
нет

Показатели скорости

Максимальная скорость последовательного чтения
1800 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
1500 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
180000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
150000 IOPS

Надежность

Максимальный ресурс записи (TBW)
200 ТБ
DWPD
0.21

Дополнительная информация

Радиатор в комплекте
нет

Габариты

Длина
Ширина
22 мм
Толщина
3.58 мм
Вес
8 г

Описание

SSD M.2 накопитель Transcend MTE110S [TS512GMTE110S] – модель от популярного производителя памяти. 512-гигабайтная модель может использоваться как в качестве системного диска, так и в роли дополнительного устройства хранения данных. Накопитель работает под управлением контроллера Silicon Motion SM2263T. Тип памяти – TLC 3D NAND.
Накопитель Transcend MTE110S [TS512GMTE110S] – скоростное NVMe-устройство. Модель использует для обмена данными интерфейс PCI-E 3.0 x4. Уровень скорости, гарантируемый устройством, достаточен для эффективной работы стационарных и портативных компьютеров высокого класса. Накопитель способен обеспечить скорость последовательного чтения, максимальное значение которой составляет 1800 МБ/с. Максимальная скорость последовательной записи – 1500 МБ/с. Ресурс накопителя значителен: величина этого показателя равна 300 TBW. Показатель MTBF, составляющий 1.5 миллиона часов, характеризует надежность устройства. Форм-фактор накопителя – 2280. Модель имеет двустороннюю компоновку чипов памяти. Дополнительным преимуществом накопителя является низкое энергопотребление.