#8143705

Оперативная память G.Skill Flare X (for AMD) [F4-3200C16D-16GFX] 16 ГБ

[DDR4, 8 ГБx2 шт, 3200 МГц, 16(CL)-18-18-38] подробнее

Нет в продаже

  • Характеристики
  • Отзывы 126
  • Инструкции и файлы

Характеристики Оперативная память G.Skill Flare X (for AMD) [F4-3200C16D-16GFX] 16 ГБ

Общие параметры

Тип
оперативная память
Модель
G.Skill Flare X (for AMD)
Код производителя
[F4-3200C16D-16GFX]

Объем и состав комплекта

Тип памяти
DDR4
Тип модуля памяти
UDIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта
16 ГБ
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
2 шт
Регистровая память
нет
ECC-память
нет

Быстродействие

Тактовая частота
3200 МГц
Профили Intel XMP
3200 МГц (16-18-18-38)

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38

Конструкция

Наличие радиатора
есть
Подсветка элементов платы
нет
Высота
40 мм
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Дополнительная информация

Напряжение питания
1.35 В

Описание

Оперативная память G.Skill Flare X (for AMD) [F4-3200C16D-16GFX] представляет собой комплект из двух модулей емкостью 8 ГБ каждый. Данная модель, благодаря своим техническим возможностям, может стать отличным выбором для использования в основе производительной игровой или рабочей станции.
Оперативная память G.Skill Flare X (for AMD) [F4-3200C16D-16GFX] выполнена в корпусе формата DIMM и соответствует стандарту DDR4. Рабочая частота модели составляет 3200 МГц, а пропускная способность достигает отметки PC25600. Благодаря этому, а также таймингам, значение которых соответствует 16-18-18-38, обеспечивается высокая производительность в самых разных задачах — будь то работа с большими массивами данных, ретушь фото или запуск игр.
Оперативная память G.Skill Flare X (for AMD) [F4-3200C16D-16GFX] выполнена в корпусе с лаконичным дизайном, благодаря которому данная модель сможет легко дополнить собой практически любую сборку. Отличительной особенностью модулей является встроенный радиатор пассивного охлаждения, способствующий более качественному отводу тепла в процессе работы. Напряжение питания оперативной памяти может варьироваться от 1.2 до 1.35 В.