#5453688

1000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E1T0BW]

[PCIe 4.0 x4, чтение - 5000 Мбайт/сек, запись - 4200 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), TBW - 600 ТБ] подробнее

8
Объем (ТБ)
1 2

Нет в продаже

  • Характеристики
  • Отзывы 8

Характеристики 1000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO [MZ-V9E1T0BW]

Общие параметры

Тип
SSD M.2 накопитель
Модель
Samsung 990 EVO
Код производителя
[MZ-V9E1T0BW]

Основные характеристики

Объем накопителя
1000 ГБ
Форм-фактор
2280
Физический интерфейс
PCIe 4.0 x4
Ключ M.2 разъема
M
NVMe
есть

Конфигурация накопителя

Количество бит на ячейку
3 бит MLC (TLC)
Структура памяти
3D NAND
DRAM буфер
нет

Показатели скорости

Максимальная скорость последовательного чтения
5000 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
4200 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
680000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
800000 IOPS

Надежность

Максимальный ресурс записи (TBW)
600 ТБ
DWPD
0.32

Дополнительная информация

Радиатор в комплекте
нет
Энергопотребление
4.9 Вт
Особенности, дополнительно
отводящая тепло этикетка

Габариты

Длина
80 мм
Ширина
22 мм
Толщина
2.38 мм
Вес
9 г