#5010582

Оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] 4 ГБ

[DDR4, 4 ГБx1 шт, 2666 МГц, PC21300, тайминги: 19] подробнее

21

Нет в продаже

  • Характеристики
  • Отзывы 21

Характеристики Оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] 4 ГБ

Общие параметры

Тип
оперативная память
Модель
Silicon Power
Код производителя
[SP004GBSFU266N02]

Объем и состав комплекта

Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти всего комплекта
4 ГБ
Объем одного модуля памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 шт

Быстродействие

Частота
2666 МГц

Тайминги

CAS Latency (CL)
19

Дополнительно

Напряжение питания
1.2 В

Описание

Соответствующая типу DDR4 4-гигабайтная оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] ориентирована на функционирование в составе мобильных компьютеров начального и среднего уровня. Устройство может использоваться как для замены вышедшего из строя модуля ОЗУ, так и для модернизации ноутбука. Модуль также подходит для использования в составе многих миниатюрных стационарных ПК. Необходимым условием совместимости в этом случае является оснащение материнской платы слотами SODIMM DDR4. Оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] рассчитана на работу на частоте 2666 МГц. Также поддерживаются частоты 1600, 1866 и 2133 МГц. Пропускная способность памяти, составляющая 21300 МБ/с, достаточна для эффективной работы с любым типовым программным обеспечением. CAS-латентность модуля – 19. Напряжение питания устройства стандартно для DDR4 – 1.2 В. Модуль отличается низким энергопотреблением. Это свойство прежде всего актуально для ноутбуков.